郝云丽在匹兹堡大学和爱德华实验室里已经成了传说。她过去的一些战绩，例如她发表的总论文数，也被大家津津乐道。
相应的，对冯言的期望值，也提高了不只是一个档次。
冯言抵不住这种压力，干脆就返回了冰城。
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与叶静讨论之后，她就去找成永兴。但是两个人一见面，她就被安排了新的任务。
IGBT。InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管，应用范围非常广泛，它包括了变频，变压，开关电源等。在后世，它的应用场景包括了轨道交通，电动汽车等。
在1992年，IGBT也不是什么新概念。
1979年的时候，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱就已经出现了。
这个技术一面世，就吸引了世界各半导体厂家的注意。多家公司几乎同时并独立地发明了这种器件，刚开始各公司对其称谓也不同。
随着时间的流逝，IGBT的技术也日渐成熟，一些新的制造工艺（DMOS）被采用，各种不同的结构，被各厂家进行试探，并有所成就。
时间走入90年代的时候，随着大规模集成电路工艺的逐步成熟，有一些半导体生产中采用的工艺，很快就会被IGBT研究人员引入。
硅芯片的垂直结构（3D），给IGBT的设计，带来了巨大的改变。
在90年代中期，IGBT的结构，先后出现了多次技术突破。
其中比较有名的有，NPT-IGBT（穿透式），LPT-IGBT（弱穿透），这一波里，最重要的技术是CSTBT。至此第五代IGBGT才算正式成熟。
这个技术方向，成永兴盯了很久了，因为它的经济价值非常大，甚至不弱于LED，但一直苦于没有人手。
随着时间的流逝，这些技术面世的窗口，也在慢慢关闭。
所以，冯言一回来，就被他立刻抓了差。
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